机械知识富士电机超结功率（Superjunction） -富士电机

富士机电株式会社白癜风的症状表现有哪些，富士机电（中国）有限公司正式发售功率半导体的最新产品——超结功率※MOSFET“SuperJMOS®S2/S2FD系列”，特此通知。

※1种MOSFET（场效应晶体管）结构。同传统的平面式结构相比，可下降单位面积的电阻。

1．背景功率半导体是实现节能或稳定供电的关键器件，多被嵌入UpS、功率调理器等工业装备、通讯装备及家电产品等各类电气产品中。最近几年来，随着全球能源需求的不断扩大，对节能的要求也日趋提高。据预测，能够减少搭载装备耗电的超结功率MOSFET在2016年将到达1200亿日元的市场范围，并将以14%的速度逐年递增（出处：IMS）。此次，我公司正式发售1款同以往的产品相比能够减少电流阻碍，从而实现节能的最新产品“SuperJMOS®S2/S2FDx系列”。

2．产品特点（1）下降通电时的电阻，实现搭载装备节能和以往的产品（S1系列）相比，S2系列在相同芯片面积下通电时的电阻下降近25%。这将有助于实现搭载装备的节能，节俭用电本钱。（2）实现内置2极管的快速恢复，减少开关消耗S2FD系列的内置2极管开关所需时间（恢复时间）较S2系列缩短了近50%。在使用内置2极管的变频器电路等产品中利用本产品，不但可以减少开关操作时的电能消耗，还能控制开关时瞬间产生的过电压（电涌电压）。这些特点将有助于实现搭载装备的节能，提高产品的可靠性。

3．产品规格

产品系列

内置2极管

额定电压

通态电阻

额定电流

S2系列

普通

600V

380mΩ⑵5mΩ

8A⑼6A

S2FD系列

快速

600V

170mΩ⑵7mΩ

18A⑼6A

4．利用对象UpS、功率调理器、EV用快速充电器、服务器或通讯基站、LED照明等

5．发售时间即日

6．产品相干问题的咨询处富士机电（中国）有限公司・半导体营业本部・半导体营业部☎+86⑵1⑸496⑴177【参考资料】产品阵容和主要规格SuperJMOS®S2系列

额定电压VDS(V)

通态电阻Ron(mΩ)

额定电流ID(A)

封装

TO⑵20

TO⑵20F

TO⑶p

TO⑵47

600

380

8.1

FMp60N380S2

FMV60N380S2

280

10.4

FMp60N280S2

FMV60N280S2

FMH60N280S2

190

15.5

FMp60N190S2

FMV60N190S2

FMH60N190S2

FMW60N190S2

160

17.9

FMp60N160S2

FMV60N160S2

FMW60N160S2

125

22.7

FMp60N125S2

FMV60N125S2

FMW60N125S2

99

29.2

FMp60N099S2

FMV60N099S2

FMW60N099S2

88

32.8

FMp60N088S2

FMV60N088S2

FMW60N088S2

79

37.1

FMp60N079S2

FMV60N079S2

FMW60N079S2

70

39.4

FMV60N070S2

FMW60N070S2

55

49.9

FMW60N055S2

40

66.2

FMW60N040S2

25

95.5

FMW60N025S2

SuperJMOS®S2FD系列

额定电压VDS(V)

通态电阻Ron(mΩ)

额定电流ID(A)

封装

TO⑵20

TO⑵20F

TO⑵47

600

170

17.9

FMp60N170S2FD

FMV60N170S2FD

FMW60N170S2FD

133

22.7

FMp60N133S2FD

FMV60N133S2FD

FMW60N133S2FD

105

29.2

FMp60N105S2FD

FMV60N105S2FD

FMW60N105S2FD

94

32.8

FMp60N094S2FD

FMV60N094S2FD

FMW60N094S2FD

84

37.1

FMp60N084S2FD

FMV60N084S2FD

FMW60N084S2FD

75

39.4FMV60N075S2FD

FMW60N075S2FD

59

49.9

FMW60N059S2FD

43

66.2

FMW60N043S2FD

27

95白癜风的问题.5FMW60N027S2FD

SuperJMOS®为富士机电的注册商标。